Samsung Produksi Memori eUFS 3.0 Pertama di Dunia

Tidak lama setelah pengumuman Samsung Galaxy S10-series yang baru, perusahaan asal Korea Selatan itu memberi kejutan dengan teknologi barunya. Mungkin banyak orang akan berpendapat bahwa itu sama pentingnya bagi seluruh industri seluler di tahun 2019 ini.

Teknologi yang dimaksud adalah sebuah media penyimpanan atau memori alternatif yang tentu saja memiliki kelebihan dari memori biasa. Dilabeli Samsung eUFS 3.0, yang akan menjadi pertama yang memberikan keuntungan kinerja luar biasa dari generasi sebelumnya.

Memori Samsung eUFS 3.0 512GB yang baru ini sudah dalam produksi massal. Executive Vice President of Memory Sales and Marketing at Samsung Electronics mengatakan bahwa standar baru akhirnya menyusul laptop ultra-ramping saat ini dalam hal kinerja penyimpanan.

Memori penyimpanan ini memiliki kecepatan baca hingga 2.100 MB / s, dua kali lebih cepat dari chip memori 2.1 eUFS yang ada saat ini. Bahkan, kecepatan baca sekitar empat kali lebih cepat dari SSD konvensional yang berjalan pada antarmuka SATA. Dengan begitu, kecepatan tulisnya akan bisa menyentuh angka sekitar 410 MB / s. Berikut tabel perbandingannya:

Fitur IOPS di chip memori Samsung 2GB eUFS 3.0 ini juga mengalami peningkatan, yakni 63.000 IOPS baca acak dan 68.000 IOPS tulis acak. Sebagai perbandingan, itu sekitar 630 kali lebih cepat daripada kartu microSD yang ada saat ini.

Selain chip memori 512GB, Samsung juga memproduksi chip dengan kapasitas 128GB dan memiliki rencana untuk mulai memproduksi dalam kapasitas 256GB dan 1TB sekitar bulan Juli-agustus tahun ini.

Sumber dan foto: Berbagai sumber